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首頁 >>>產品中心>>702微機型繼電保護測試儀>>TE8673絕緣電阻測試儀>>TE8000 抗干擾介質損耗測試儀

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產品名稱：TE8000 抗干擾介質損耗測試儀

產品型號：

產品報價：20000

產品特點：TE8000 抗干擾介質損耗測試儀用于精密測量各種高壓電氣設備的絕緣介質損耗因數tgδ與電容量Cx，可鑒別電氣絕緣設備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關、避雷器等設備的介質損耗和電容量測量。

TE8000 抗干擾介質損耗測試儀的詳細資料：

TE8000 抗干擾介質損耗測試儀

用于精密測量各種高壓電氣設備的絕緣介質損耗因數tgδ與電容量Cx，可鑒別電氣絕緣設備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關、避雷器等設備的介質損耗和電容量測量。TE8000 抗干擾介質損耗測試儀是國內*高壓電纜拖地使用對反接測試數據無影響的介損測試類儀器，并*采用了第四代抗干擾技術：“全自動反干擾源”。成功解決了普通介損測試儀現(xiàn)場使用抗干擾能力差、反接法測試數據不準等問題。

TE8000 抗干擾介質損耗測試儀

產品特性

(1) *采用第四代抗干擾技術“全自動反干擾源”，在保證抗干擾效果的同時測試值的等效性優(yōu)于“異頻法”。

(2) 國內*實現(xiàn)從高壓插座到高壓導線全絕緣的介損測試儀。高壓導線不僅能直接拖地使用，而且消除了反接測試時導線泄漏電流對測試結果的影響。10kV輸出時，對地無放電、無泄漏、無聲響。
(3) 國內*實現(xiàn)接地試品和非接地試品采用相同接線，避免因不同接線方式引起的接線誤差。
(4) 采用多重屏蔽系統(tǒng)，配合“反干擾源”和精密數學模型，儀器具有很高的測試精度，并且測試數據重復性*
(5)通過內置的JTAG在線編程接口，可實現(xiàn)設備在現(xiàn)場不拆機升級。

TE8000 抗干擾介質損耗測試儀

技術參數

工作電源

電壓：AC220V±10% 頻率：50Hz±1Hz

使用環(huán)境

環(huán)境溫度：-10℃～40℃ 相對濕度：≤80%

外形尺寸

長390mm*寬290mm*高320mm

質量

20Kg

測試工作方式

正接法反接法抗干擾正接法抗干擾反接法

輸出功率

1.5KVA

電容測量范圍

10KV： 0～40000pF

＜5KV: 0～0.1μF

電容z·ui小分辨率

0.001pF

電容精度

正接 ±（2%讀數+2pF）

反接 ±（2%讀數+10pF）

介損測量范圍

0～50%

介損測量精度

測試內容	電容量范圍（Cx）	試品類型	基本誤差
介質損耗因數tgδ	100pF～40000pF	非接地	±（2%讀數+0.0005）
	100pF～40000pF	接地	±（2%讀數+0.0010）
	10pF～100pF或40000pF以上	非接地	±（2%讀數+0.0010）
	10pF～100pF或40000pF以上	接地	±（2%讀數+0.0020）
	3pF～10pF	非接地與接地	±（2%讀數+0.0020）

TE8000 抗干擾介質損耗測試儀

高壓測試線

	一頭為線夾，一頭為高壓插頭，用于將高壓引至被試品,采用高性能絕緣導線制成.可拖地使用.使用前請將高壓插頭及線夾接牢靠.

高壓測試線

	一頭為紅、黑兩只線夾，一頭為航插。紅色線夾接Cx，黑色線夾接屏蔽，用于取得沒有干擾的測試信號。

電源線

	黑色通用電源線，用于給儀器提供電源

接地線

	黃綠相交10米接地線，一頭為金屬插針，一頭為夾子，用于儀器與地網連接，使儀器接地，儀器使用前，請接好地線

打印紙2卷

	打印紙，安裝與打印機內，是儀器打印的必須耗材，隨機符帶兩卷

保險管（10A）2只

	保險管，安裝與儀器電源插座內或儀器面板保險盒內，防止因誤操作引起的大電流損壞儀器。當儀器不能正常工作時，可檢查保險管是否溶斷。

測試圖例

套管

帶末屏的電容式套管，如裝于大型變壓器的電流互感器套管。

（1）測量C1采用正接法測量接線及其等值原理圖如下圖所示：

（2）測量C2采用反接法，為了消除高壓端對地的雜散電容，可將TE2000 屏蔽端接到C1上端，接線及其等值原理圖如下圖所示：

電壓互感器

（1）全絕緣式電壓互感器

將高壓側及低壓側分別短路，其測量接線及其原理圖如下圖所示：

全絕緣式電壓互感器

（2）串級式電壓互感器

采用串級式電壓互感器，一般采用首端加壓法。這種試品也可以采用常規(guī)方法，但試驗電壓為2.5KV左右。接線及其等值原理圖如下圖所示：

試品	試驗方法	高壓	測量	屏蔽	接地
CAB	正接法	A	B或B1	—	—
CN	反接法	A	地	B及X	—
CAB+CH	反接法	A	地	—	B及B1

全絕緣式電壓互感器

電力變壓器

（1）雙線圈變壓器接線方法如下圖所示：

（2）三線圈變壓器接線方法如下圖所示：

試品	試驗方法	高壓	測量	屏蔽	接地
C1	反接法	高壓線圈	地	中壓、低壓線圈	—
C2	反接法	中壓線圈	地	高壓、低壓線圈	—
C3	反接法	低壓線圈	地	高壓、中壓線圈	—
C12	正接法	高壓線圈	中壓線圈	—	低壓線圈
C23	正接法	中壓線圈	低壓線圈	—	高壓線圈
C13	正接法	低壓線圈	高壓線圈	—	中壓線圈

三線圈變壓器

電容器

電容式分壓互感器接線圖如下圖所示：

試品	試驗方法	高壓	測量	屏蔽	接地
C1	正接法	A	B	--	--
C2	反接法	A	C	--

電力變壓器繞組的tgδ
1)1～3年或自行規(guī)定 2)大修后 3)必要時	1)20℃時tgδ不大于下列數值： 330～500kV 0.6% 66～220kV 0.8% 35kV及以下 1.5% 2)tgδ值與歷年的數值比較不應有顯著變化(一般不大于30%) 3)試驗電壓如下：繞組電壓10kV及以上 10kV 繞組電壓10kV以下 Un 4)用M型試驗器時試驗電壓自行規(guī)定	1)非被試繞組應接地或屏蔽 2) 同一變壓器各繞組tgδ的要求值相同 3)測量溫度以頂層油溫為準，盡量使每次測量的溫度相近 4)盡量在油溫低于50℃時測量，不同溫度下的tgδ值一般可按下式換算 tgδ₂=tgδ₁×1.3^（t2-t1)/10 式中tgδ1、tgδ2分別為溫度t1、t2時的tgδ值

電流互感器的tgδ及電容量

1)投運前
2)1～3年
3)大修后
4)必要時

1)主絕緣tgδ(%)不應大于下表中的數值，且與歷年數據比較，不應有顯著變化:

電壓等級kV		20～35	66～110	220	330～500
大修后	油紙電容型充油型膠紙電容型	— 3.0 2.5	1.0 2.0 2.0	0.7 — —	0.6 — —
運行中	油紙電容型充油型膠紙電容型	— 3.5 3.0	1.0 2.5 2.5	0.6 — —	0.7 — —

2)電容型電流互感器主絕緣電容量與初始值或出廠值差別超出±5%范圍時應查明原因
3)當電容型電流互感器末屏對地絕緣電阻小于1000MΩ時，應測量末屏對地tgδ，其值不大于2%

1)主絕緣tgδ試驗電壓為10kV，末屏對地tgδ試驗電壓為2kV
2)油紙電容型tgδ一般不進行溫度換算，當tgδ值與出廠值或上一次試驗值比較有明顯增長時，應綜合分析tgδ與溫度、電壓的關系，當tgδ隨溫度明顯變化或試驗電壓由10kV升到U_m/√3 時，tgδ增量超過±0.3%，不應繼續(xù)運行
3)固體絕緣互感器可不進行tgδ測量

電磁式電壓互感器的tgδ(20kV及以上)

1)繞組絕緣：
a)1～3年
b)大修后
c)必要時
2)66～220kV串級式電壓互感器支架：
a)投運前
b)大修后
c)必要時

1)繞組絕緣tgδ(%)不應大于下表中數值：

溫度℃		5	10	20	30	40
35kV及以下	大修后	1.5	2.5	3.0	5.0	7.0
35kV及以下	運行中	2.0	2.5	3.5	5.5	8.0
35kV以上	大修后	1.0	1.5	2.0	3.5	5.0
35kV以上	運行中	1.5	2.0	2.5	4.0	5.5

2)支架絕緣tgδ一般不大于6%

串級式電壓互感器的tgδ試驗方法建議采用末端屏蔽法，其它試驗方法與要求自行規(guī)定

電容式電壓互感器的中間變壓器的tgδ
1)大修后 2)必要時	與初始值相比不應有顯著變化

SF6斷路器和GIS的斷口間并聯(lián)電容器的絕緣電阻、電容量和tgδ
1)1～3年 2)大修后 3)必要時	1)對瓷柱式斷路器和斷口同時測量，測得的電容值和tgδ與原始值比較，應無明顯變化 2)罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)按制造廠規(guī)定 3)單節(jié)電容器按斷路器電容器規(guī)定	1)大修時，對瓷柱式斷路器應測量電容器和斷口并聯(lián)后整體的電容值和tgδ，作為該設備的原始數據 2)對罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)必要時進行試驗，試驗方法按制造廠規(guī)定

多油斷路器和少油斷路器40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tgδ

1)1～3年
2)大修后

1)20℃時多油斷路器的非純瓷套管的tgδ(%)值見表20
2)20℃時非純瓷套管斷路器的tgδ(%)值，可比表20中相應的tgδ(%)值增加下列數值：

額定電壓kV	≥126	＜126	40.5(DW1—35DW1—35D)
gδ(%)值的增加數	1	2	3

1)在分閘狀態(tài)下按每支套管進行測量。測量的tgδ超過規(guī)定值或有顯著增大時，必須落下油箱進行分解試驗。對不能落下油箱的斷路器，則應將油放出，使套管下部及滅弧室露出油面，然后進行分解試驗
2)斷路器大修而套管不大修時，應按套管運行中規(guī)定的相應數值增加
3)帶并聯(lián)電阻斷路器的整體tgδ(%)可相應增加1

多油斷路器和少油斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻值，并聯(lián)電容器的電容量和tgδ
1)大修后 2)必要時	1)并聯(lián)電阻值應符合制造廠規(guī)定 2)并聯(lián)電容器按下方高壓并聯(lián)電容器規(guī)定

空氣斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻，均壓電容器的電容量和tgδ
1)大修后	1)并聯(lián)電阻值符合制造廠規(guī)定 2)均壓電容器按斷路器電容器規(guī)定

套管的主絕緣及電容型套管對地末屏tgδ與電容量

1)1～3年
2)大修(包括主設備大修)后
3)必要時

1)20℃時的tgδ(%)值應不大于下表中數值：

電壓等級kV		20～35	66～110	220～500
大修后	充油型	3.0	1.5	—
	油紙電容型	1.0	1.0	0.8
	充膠型	3.0	2.0	—
	膠紙電容型	2.0	1.5	1.0
	膠紙型	2.5	2.0	—
運行中	充油型	3.5	1.5	—
	油紙電容型	1.0	1.0	0.8
	充膠型	3.5	2.0	—
	膠紙電容型	3.0	1.5	1.0
	膠紙型	3.5	2.0	—

2)當電容型套管末屏對地絕緣電阻小于1000MΩ時，應測量末屏對地tgδ，其值不大于2%
3)電容型套管的電容值與出廠值或上一次試驗值的差別超出±5%時，應查明原因

1)油紙電容型套管的tgδ一般不進行溫度換算，當tgδ與出廠值或上一次測試值比較有明顯增長或接近左表數值時，應綜合分析tgδ與溫度、電壓的關系。當tgδ隨溫度增加明顯增大或試驗電壓由10kV升到U_m/√3 時，tgδ增量超過±0.3%，不應繼續(xù)運行
2)20kV以下純瓷套管及與變壓器油連通的油壓式套管不測tgδ
3)測量變壓器套管tgδ時，與被試套管相連的所有繞組端子連在一起加壓，其余繞組端子均接地，末屏接電橋，正接線測量

高壓并聯(lián)電容器、串聯(lián)電容器和交流濾波電容器的電容值
1)投運后1年內 2)1～5年	1)電容值偏差不超出額定值的-5%～+10%范圍 2)電容值不應小于出廠值的95%	用電橋法或電流電壓法測量

耦合電容器和電容式電壓互感器的電容分壓器的tgδ
1)投運后1年內 2)1～3年	10kV下的tgδ值不大于下列數值：油紙絕緣 0.005 膜紙復合絕緣 0.002	1)當tgδ值不符合要求時，可在額定電壓下復測，復測值如符合10kV下的要求，可繼續(xù)投運 2)電容式電壓互感器低壓電容的試驗電壓值自定

斷路器電容器的電容值
1)1～3年 2)斷路器大修后	電容值偏差應在額定值的±5%范圍內	用電橋法

斷路器電容器的tgδ
1)1～3年 2)斷路器大修后	10kV下的tgδ值不大于下列數值：油紙絕緣 0.005 膜紙復合絕緣 0.0025

集合式電容器的電容值
1)投運后1年內 2)1～5年 3)吊芯修理后	1)每相電容值偏差應在額定值的-5%～+10%的范圍內，且電容值不小于出廠值的96% 2)三相中每兩線路端子間測得的電容值的z·ui大值與z·ui小值之比不大于1.06 3)每相用三個套管引出的電容器組，應測量每兩個套管之間的電容量，其值與出廠值相差在±5%范圍內

串聯(lián)電抗器的繞組tgδ
1)大修后 2)必要時	20℃下的tgδ(%)值不大于： 35kV及以下 3.5 66kV 2.5	僅對800kvar以上的油浸鐵芯電抗器進行

放電線圈的繞組的tgδ
1)大修后 2)必要時	參照電磁式電壓互感器

同步發(fā)電機、調相機定子繞組瀝青云母和烘卷云母絕緣老化鑒定試驗項目和要求

整相繞組(或分支)及單根線棒的tgδ增量(Δtgδ)

1)主絕緣tgδ(%)不應大于下表中的數值，且與歷年數據比較，不應有顯著變化：

定子電壓等級kV	Δtgδ%
6	6.5
10	6.5

Δtgδ(%)值指額定電壓下和起始游離電壓下tgδ(%)之差值。對于6kV及10kV電壓等級，起始游離電壓分別取3kV和4kV
2)定子電壓為6kV和10kV的單根線棒在兩個不同電壓下的Δtgδ(%)值不大于下列值：

1.5Un和0.5Un	相鄰0.2Un電壓間隔;	0.8Un和0.2Un
11	2.5	3.5

凡現(xiàn)場條件具備者，z·ui高試驗電壓可選擇1.5Un；否則也可選擇(0.8～1.0)Un。相鄰0.2Un電壓間隔值，即指1.0Un和0.8Un、0.8Un和0.6Un，0.6Un和0.4Un、0.4Un和0.2Un

1)在絕緣不受潮的狀態(tài)下進行試驗
2)槽外測量單根線棒tgδ時，線棒兩端應加屏蔽環(huán)
3)可在環(huán)境溫度下試驗

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